光子芯片阵列光栅封装实现单端损耗2.15dB

具有更高带宽、更小功耗、更快速率的硅基光电子芯片在“后摩尔时代”变得炙手可热。在近10年,不管是传统的CMOS大厂还是新晋的创业公司,都在硅基光电子上投入了大量资源。但由于硅基光电子芯片典型模斑尺寸(0.3μm)远小于单模光纤芯径9μm,所以在耦合过程中会有极大的功率损耗,较好的光栅耦合封装损耗约为3.5dB/端,这也是制约硅基光电子芯片走向应用的最大障碍。

今年初,中国电科38所光电集成研究中心成功开发出多种耦合封装技术,并对外开放硅基光电子芯片耦合封装服务。其中,在多通道阵列光纤光栅耦合封装对比实验中,实现了单端损耗2.1dB@1550nm的耦合结果,后续的无源光学封装最终损耗为2.15dB/端。该结果已经接近实用指标,进一步的,团队进行了多批次验证,工艺趋于稳定。

同时,团队编写的《硅基光电子芯片封装设计规则》已经更新到2.0版本,欢迎各位用户参阅。

封装实物图如下,黑色为加固包覆胶:

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